CSD23202W10

N/A
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Без свинцю / RoHS відповідність
Дискретні напівпровідникові продукти

1.Підтвердьте деталі, які включають деталь № та виробника продукції при замовленні.
2.Якщо у вас у списку накладних матеріалів (BOM) потрібно навести quo.you, ви можете надіслати на наш електронний лист.
3.Ви можете надіслати нам електронну пошту, щоб змінити деталі замовлення перед відправкою.
4. Замовники не можуть бути скасовані після доставки пакетів.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Мінімум:1; Множини:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Технічні характеристики
Відгуки
Оплата
Доставка
Упаковка

Vgs (th) (Макс.) @ Id:	900mV @ 250µA
Vgs (Макс):	-6V
Технологія:	MOSFET (Metal Oxide)
Пакет пристрою постачальника:	4-DSBGA (1x1)
Серія:	NexFET™
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Розсіювання живлення (макс.):	1W (Ta)
Упаковка:	Tape & Reel (TR)
Пакет / Корпус:	4-UFBGA, DSBGA
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу:	Surface Mount
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds:	512pF @ 6V
Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs:	3.8nC @ 4.5V
Тип FET:	P-Channel
Особливість FET:	-
Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на):	1.5V, 4.5V
Водовідведення до джерела напруги (Vdss):	12V
Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C:	2.2A (Ta)

Якщо ви отримали неправильний комплект, який ви не замовляли. Ми будемо досліджувати, хто прийме відповідальність з цього приводу.

Якщо це наше, ми доставимо правильні компани для обмінних товарів після того, як ми отримали неправильні компенанти.

Якщо це ваше, клієнт візьме на це відповідальність. Для деталей, будь ласка, зв'яжіться з нашим обслуговуванням клієнтів або продажами.

CSD23202W10

Request Quote

Процес покупки

Супутні товари

Здогадайтесь, ви можете шукати