IXFX30N110P

IXYS Corporation
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
Без свинцю / RoHS відповідність
Дискретні напівпровідникові продукти
IXFX30N110P.pdf

Ми можемо поставити IXYS Corporation IXFX30N110P, скористатися формою цитати запиту, щоб запитати IXFX30N110P pirce, IXYS Corporation Лист даних PDF та час виконання. Zeanoit.com - професійний дистриб'ютор електронних компонентів. Завдяки 3+ мільйонам лінійок доступних електронних компонентів можна доставити за короткий час, понад 250 тис. Частин електронних компонентів на складі для негайної доставки, що може включати номер запчастини IXFX30N110P. Ціна та час виконання для IXFX30N110P залежно від кількості необхідна, наявність та розташування складу.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Мінімум:1; Множини:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Технічні характеристики
Відгуки
Оплата
Доставка
Упаковка

Vgs (th) (Макс.) @ Id:	6.5V @ 1mA
Технологія:	MOSFET (Metal Oxide)
Пакет пристрою постачальника:	PLUS247™-3
Серія:	HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:	360 mOhm @ 15A, 10V
Розсіювання живлення (макс.):	960W (Tc)
Упаковка:	Tube
Пакет / Корпус:	TO-247-3
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу:	Through Hole
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds:	13600pF @ 25V
Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs:	235nC @ 10V
Тип FET:	N-Channel
Особливість FET:	-
Водовідведення до джерела напруги (Vdss):	1100V (1.1kV)
Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C:	30A (Tc)