RUE002N02TL

LAPIS Semiconductor
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Без свинцю / RoHS відповідність
Дискретні напівпровідникові продукти
RUE002N02TL.pdf

запчастини # RUE002N02TL доступні, див. опис RUE002N02TL як нижче.
скористайтеся формою цитати запиту, щоб запитувати ціну RUE002N02TL та час виконання.
Купуйте електронні компоненти у zeanoit.com. Ми є незалежним дистриб'ютором електронних компонентів з великим запасом на складі.
Ціна та термін виконання RUE002N02TL залежать від необхідної кількості, наявності та місця складства. Зв'яжіться з нами сьогодні, і наша служба продажу незабаром відправить вам пропозицію.
Електронна пошта: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Мінімум:1; Множини:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Ціна
3000	$0.07
6000	$0.063
15000	$0.056
30000	$0.053
65535	$0.045

Технічні характеристики
Відгуки
Оплата
Доставка
Упаковка

Vgs (th) (Макс.) @ Id:	1V @ 1mA
Vgs (Макс):	±8V
Технологія:	MOSFET (Metal Oxide)
Пакет пристрою постачальника:	EMT3
Серія:	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:	1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Розсіювання живлення (макс.):	150mW (Ta)
Упаковка:	Tape & Reel (TR)
Пакет / Корпус:	SC-75, SOT-416
Робоча температура:	150°C (TJ)
Тип монтажу:	Surface Mount
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds:	25pF @ 10V
Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs:	-
Тип FET:	N-Channel
Особливість FET:	-
Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на):	1.2V, 2.5V
Водовідведення до джерела напруги (Vdss):	20V
Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C:	200mA (Ta)